三星宣布推出业界首款针对 AMD 进行优化的 12 纳米 DDR5 内存

三星有望开始大规模生产基于行业首创 12 纳米工艺的 DDR5 DRAM 新存储芯片。该公司的目标是在 2023 年开始制造新芯片，以“推进下一代计算、数据中心和人工智能应用”，这要归功于改进的性能和更高的能效。

三星新推出的 16 吉比特 (Gb) DRAM 芯片将使所有采用 DDR5 标准的平台受益。但是，该公司强调了专门针对 AMD 的改进。官方新闻稿称，这些芯片针对支持 DDR5（Zen4 和 AM5 插槽）的最新 AMD Zen 平台进行了“优化和验证”。

切换到更新的 12nm 技术工艺后，三星可以将速度提高到 7.2Gbps（大致相当于在一秒钟内处理两部 32GB 超高清电影），同时消耗比“以前的 DRAM”少 23%。更新后的内存将使用一种新的高 k 材料，具有更高的单元容量和改进的“关键电路特性”。三星还吹嘘业界最高的裸片密度，将晶圆生产率提高了 20%。